IGBT在现在和未来都有很多需要改进的地方，有哪些技术方法呢？小编和大家一起研究一下。

IGBT需要改进的地方有：

1.减少通态压降。增加电流密度并降低正功率损耗的目的。

2，减少切换时间，尤其是关闭时间。为了改善频率的使用，降低开关损耗的目的。

3.构成IGBT的大量“原胞”在工作中并行，需要每个主电池允许操作温度允许。当温度变化时，保持压降，并且实现了平均流程。否则，由于个体变化导致的过流损坏，IGBT器件可能会损坏。

4.提高西安IGBT模块检测断态耐压以满足应用需求。

 IGBT技术改进措施主要有以下几个方面：

1.为了提高运行频率，减少关闭时间，初代，第二代早期产品已经使用“照射”的方式，但存在增加压降的风险（将增加功耗的风险）。

2初代和第二代原因导致“负温度系数”由于内部晶体结构本身，导致每个IGBT基因组的不一致，这不利于平行操作，因此IGBT电流不大。这个问题在第四个产品中使用“透明收集器技术”，基本上解决了正温度系数的效果。

3.第二代产品使用“电场停止技术”来增加“缓冲层”，使得可以通过较薄的晶片实现相同的压力（击穿电压）。由于薄晶片薄，饱和压降越小，电源耗电越低。该技术经常对IGBT进行显着影响，具有高耐电压。较低的耐用性，如几百伏的IGBT产品，晶圆薄，更薄例如，如果100至150微米，则处理西安元器件筛选过程非常容易损坏晶片。

4.第三代产品是将前两代的平面绝缘栅极改变到沟槽栅极结构，即，在晶片栅极位置的晶片的深度中，晶片形成为绝缘栅极。栅极区域增加，但占用晶片位置减小，并且栅极密度增加。在运行过程中，电流传导容量增强，从而降低了导通压降。

5.第四代非穿通型IGBT(NPT)产品不再采用“外延”技术，代之以“硼离子注入”方法生成集电极，这就是(五)2中提到的“透明集电区技术”。

6.在IGBT经历了上述四种技术改进后，第五和第六代产品重新结合各种技术措施。第五代IGBT是第四产物“透明集电极区技术”和“电场中转技术”的组合。第六代产品在第五代的基础上改善了沟槽栅极结构，并出现在新外观中。

以上就是提高IGBT的改进方法，希望你能有所了解。