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详情内容 IGBT存放时，要注意防静电，因为IGBT栅极输入阻抗非常高，静电电压会损坏绝缘栅氧化层，造成IGBT损坏或损伤。
解决方法是：要在GE之间经常保持直流通路，可将GE短路保存，以防静电损伤。
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IGBT存放时，要注意防静电，因为IGBT栅极输入阻抗非常高，静电电压会损坏绝缘栅氧化层，造成IGBT损坏或损伤。解决方法是：要在GE之…
在线留言 IGBT存放时，要注意防静电，因为IGBT栅极输入阻抗非常高，静电电压会损坏绝缘栅氧化层，造成IGBT损坏或损伤。
解决方法是：要在GE之间经常保持直流通路，可将GE短路保存，以防静电损伤。
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