Product
酒泉IGBT 酒泉SiCMOS 酒泉MOSFET 酒泉晶闸管 酒泉二极管 酒泉晶体管
酒泉功率二极管 酒泉功率金属氧化物场效应管(MOSFET) 酒泉绝缘栅双极性晶体管(IGBT) 酒泉通用电子产品 酒泉电子电器产品 酒泉晶闸管
IGBT存放时,要注意防静电,因为IGBT栅极输入阻抗非常高,静电电压会损坏绝缘栅氧化层,造成IGBT损坏或损伤。解决方法是:要在GE之…
IGBT存放时,要注意防静电,因为IGBT栅极输入阻抗非常高,静电电压会损坏绝缘栅氧化层,造成IGBT损坏或损伤。
解决方法是:要在GE之间经常保持直流通路,可将GE短路保存,以防静电损伤。
LEAVE A MESSAGE