有人说IGBT与晶闸管驱动是一样的，小编今天给大家讲讲他们之间的区别。

场效应管和晶闸管驱动电路基本上不同。场效应管通常分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管并且可控制的硅通常分为单向晶闸管和双向硅（Thyristila也称为晶体管，可分为晶闸管和双向晶闸管），其中绝缘栅极场效应管也称为MOS管（有一个场效应管，称为IGBT的分三极体混合装置通常称为栅极控制管，该装置的驱动电路几乎相同作为场效应管的驱动电路），属于电压驱动，其主要用于功率输出，功率转换等，并且需要它控制PWM（脉冲宽度调制）信号。门的方波上升沿需要陡峭（也称为图腾“），并且当驱动信号的瞬态电源不是时，具有一定的瞬态驱动能力（因为场效应管的栅极等于电容器。足够，其原始波形将改变，通常相当于积分器），当需要时，栅极电压约为10-20V，通常为15V，而关闭，确保相对于10-20的源极效应管v，典型值15V，在关闭关闭时可靠，这应该是-15V此时，在实际应用中，为了降低现场效果管的功耗，通常需要增加滥用保护和相关的吸收电路，尽可能尽可能地进行现场效果管，工作频率与负载的谐振频率相同。

晶闸管驱动，因为西安元器件筛选他相当于两个三极管构成正反馈放大。当存在触发信号时，由于强大的正反馈，它导通，并且当栅极电压高于阳极电压或阳极并且阴极电压差小于一定的值时，即阳性反馈将失败，即可控硅重置。通常，栅极电压不高于阳极，因此可控是非转向半控制装置。关闭触发时，门关闭栅极，阀门效果管状全控制设备可以通过门关闭。

以上就是小编整理的IGBT与晶闸管驱动之间的区别，希望对你有所帮助。