晶闸管模块烧坏是什么原因导致的，你知道吗？

电子元器件使用时间长了，难免会有磨损或损坏。晶闸管模块也不可避免地会出现烧坏的现象，今天小编和大家一起找找原因。

晶闸管模块是硅元件。硅元件的共同特征差，过载不佳，并且在使用过程中经常燃烧糟糕的地壳管模块。

晶闸管组件的燃烧损耗由晶闸管模块的高温电学特性，热特性和结构特性决定。因此，为了确保晶闸管组件的质量在开发和生产过程中，我们应该从三个方面开始：电气特性，热特性和结构特征，三个紧密联系，以及晶闸管组件的研究和生产进展中。在中间，电应力，热应力和结构应力应考虑。晶闸管模块刻录的原因有很多。通常，这三者的共同作用导致晶闸管模块燃烧。由于单一特征的下降，难以使完成的晶闸管燃烧。因此，我们可以在生产过程中充分利用这一特征，即，如果其中一个压力不符合要求，我们可以采取措施改善其他两个应力弥补。

从晶闸管模块的各个相位参数，经常发生的参数是：电压，电流，DV / DT，DI / DT，泄漏，粘合时间，关闭时间等，有时它也可能刻录控制。晶闸管表面的燃烧现象是由不同的晶闸管表面参数引起的。因此，通过解剖烧焦晶闸管模块，我们可以确定哪个参数会导致晶闸管模块被烧毁。

通常，在阴极表面或芯片的边缘上会有一个小的黑点燃烧，表明导致电压。电压使晶闸管模块具有两个可能的原因。一个是晶闸管模块的电压故障，通常称为电压降。电压故障分为早期故障，中期故障和晚期故障。第二是线路问题，导致线路过电压，晶闸管模块保护措施失败。

当电流燃烧不良危机管组件时，阴极表面通常具有大的燃烧标记，甚至熔化诸如芯片和壳体的大面积。易于确定由DI/DT引起的晶闸管模块是燃尽，这通常由栅极附近的小黑点或大栅极引起。我们知道晶闸管模块的等效电路由两个晶闸管组成。对应于门的晶闸管用作触发器。其目的是扩大信号，然后尽快打开主晶闸管。但是，如果电流在短时间内太大，则主晶门未完全打开。大电流主要流动与门相当晶闸管，这可以避免晶闸管的小型载体能力，导致晶闸管烧伤。在表面上，它是一个靠近门或门的小黑点。对于DV/DT，它不会烧坏危机模块，但高DV/DT将使晶闸管模块，其表面现象类似于电流燃烧。

以上就是晶闸管模块烧坏的原因，希望小编整理的原因对你有用。