IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008‌；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验能力：‌温度范围‌：105℃到142.9℃之间、度范围‌：75%到....RH、力范围‌：0.02MPa到0.186MPa。