执行标准：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验方法：通过将件固定在特定夹具上，施加逐渐增大的弯曲力以模拟实际使用中的应力情况，通过测量弯曲过程中的力值、位移等参数来评估器件的弯曲性能。其意义在于验证功率器件在承受弯曲应力时的结构稳定性和电气连接的可靠性，确保器件在装配、焊接、运输以及车辆运行等过程中不会因弯曲应力而失效，从而保障产品的整体质量和安全性.