执行标准：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验方法：通过用振动台模拟实际运输、安装及使用过程中的振动环境，对器件施加特定频率和振幅的振动激励，通过监测器件在振动下的性能变化和结构完整性来评估其抗振能力。其意义在于验证功率器件在振动环境下的可靠性和耐久性，预防因振动引起的线路板断裂、焊点脱落等结构失效，确保产品在实际使用中能够稳定运行，减少售后维修和退换货成本，同时满足法规及客户针对不同应用领域的振动性能标准要求。