执行标准：IEC 60068-2-27、GB/T 2423.5、MIL-STD-810G、GB/T 21563-2018；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验方法：通常采用冲击试验机，模拟器件在运输、安装或使用过程中可能遭受的突然机械冲击，通过施加预设的冲击脉冲（如半正弦波、梯形波等）并监测器件在冲击下的响应，来评估其抗冲击能力和结构完整性。其意义在于验证功率器件在遭受机械冲击时的可靠性和稳定性，预防因冲击导致的内部结构损坏、电气性能下降或功能失效，确保产品在实际应用中能够承受意外冲击而不影响正常工作，从而提升产品的整体质量和市场竞争力。